Micron'dan 400'den fazla katmanlı G11 NAND hamlesi: Hedef iki kat yoğunluk

Micron, 2027'nin ikinci yarısında seri üretimi planlanan G11 3D NAND teknolojisini duyurdu. Şirket, G9'a kıyasla bit yoğunluğunu iki katına çıkarmayı hedefliyor.

DonanımHaber'in aktardığına göre Micron, 2027'nin ikinci yarısında seri üretime geçmeyi planladığı yeni nesil G11 3D NAND bellek teknolojisini tanıttı. Bellekler 400'den fazla katmana ulaşacak. Şirket, önceki nesil G9'a göre bit yoğunluğunu ikiye katlamayı, veri aktarım hızını yüzde 50 artırmayı ve bit başına enerji tüketimini yüzde 25'ten fazla düşürmeyi amaçlıyor.

Paylaşılan hedeflere göre G11'in yoğunluğu milimetrekare başına yaklaşık 42 Gbit olacak. G9 neslinde bu değer yaklaşık 21 Gb/mm² düzeyinde. Daha yüksek yoğunluğun, aynı alanda daha fazla veri saklanmasına ya da aynı kapasitenin daha küçük yongalarla sağlanmasına imkân verebileceği belirtildi.

Hız tarafında arayüzün 3.600 MT/s seviyesinden 5.400 MT/s'ye çıkarılması bekleniyor. Enerji verimliliği iyileşmesinin ise sürekli büyük veri işleyen yapay zekâ altyapıları ve veri merkezleri için önem taşıdığı ifade edildi.

G11'in teknik yeniliklerinden biri wafer-on-wafer bonding yöntemi olacak. Bu yöntemde bellek hücreleri ile çevresel devreler ve giriş/çıkış mantığı ayrı silikon plakalarda üretilip sonradan birleştiriliyor. Micron'a göre bu yaklaşım, dizinin ve kontrol devrelerinin ayrı ayrı optimize edilmesini sağlayarak yoğunluk ve performansa katkı veriyor.

Teknolojinin tüketici SSD'lerine de katkı sağlaması bekleniyor, ancak Micron'un G11'in tüketici SSD fiyatlarına etkisi konusunda henüz kesin bir bilgi paylaşmadığı kaydedildi. Şirketin sonraki nesillerde katman artışının yanında hücre küçültme, yeni malzemeler ve daha yoğun hücre mimarisine odaklanacağı bildirildi.